參數(shù)資料
型號: APTGT300SK60
廠商: Advanced Power Technology Ltd.
英文描述: Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述: 降壓斬波器溝槽場站IGBT功率模塊
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 278K
代理商: APTGT300SK60
APTGT300SK60
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
2500
-40
-40
-40
3
2
Typ
Max
0.13
0.21
175
125
100
5
3.5
280
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
T
J
T
STG
T
C
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
V
°C
To heatsink
For terminals
M6
M5
Torque Mounting torque
N.m
Wt
Package Weight
g
Package outline
(dimensions in mm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT300U170D4G Single switch Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT30A170D1 Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT30DA170D1 Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT30DDA60T3 Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT30DSK60T3 Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT300SK60D3G 功能描述:IGBT BUCK CHOPPER 600V 400A D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT300SK60D3G_11 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Buck Chopper Trench + Field Stop IGBT3 Power Module
APTGT300SK60G 功能描述:IGBT 600V 430A 1150W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT300TL60G 功能描述:POWER MOD IGBT 3LVL INVERT SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT300TL65G 功能描述:IGBT 650V SP6C 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1