參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT300DA120G
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Boost chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 升壓斬波器快速戴場(chǎng)站IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 253K
代理商： APTGT300DA120G
APTGT300DA120G
A
www.microsemi.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=125°C
0
100
200
300
400
500
600
0
0.4
0.8
1.2
V
F
(V)
1.6
2
2.4
I
F
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100 150 200 250 300 350 400
I
C
(A)
F
V
CE
=600V
D=50%
R
G
=1.8
T
J
=125°C
Tc=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
0.00001
0.0001
0.001
rectangular Pulse Duration (Seconds)
0.01
0.1
1
10
T
Diode
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5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
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APTGT300DA170G 功能描述:IGBT 1700V 400A 1660W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT300DA60D3G 功能描述:IGBT 600V 400A 940W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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