- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄51273 > APTGT200TL60G (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | APTGT200TL60G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SP6, 12 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 220K |
| 代理商： | APTGT200TL60G |
APTGT200TL60G
APT
G
T
200T
L
60G
–
Rev0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
7- 7
CR5 & CR6 Typical performance curve
Energy losses vs Collector Current
0
2
4
6
8
0
100
200
300
400
IF (A)
E
rr
(m
J)
VCE = 300V
RG = 1.8
TJ = 150°C
0
1
2
3
4
5
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
Gate Resistance (ohms)
E
rr
(m
J)
VCE = 300V
IC = 200A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
Th
e
rm
a
lIm
p
e
da
nc
e
(
°C
/W)
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=150°C
0
100
200
300
400
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A)
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT20DDA60T3 | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT20DDA60T3 | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT20DSK60T3 | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT20DSK60T3 | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT20TL601G | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT200U120D4 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Single switch Trench IGBT Power Module |
| APTGT200U170D4 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Single switch Trench IGBT Power Module |
| APTGT20A60T1G | 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT20DDA60T3 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT20DDA60T3G | 功能描述:IGBT MODULE DUAL BSOOT CHOP SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。