參數(shù)資料
型號： APTGT200A170D3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg Trench IGBT Power Module
中文描述： 相腳溝道IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： APTGT200A170D3
APTGT200A170D3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 7mA
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
V
GE
= 15V
I
C
= 200A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 8 mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
1700
5.2
Typ
2.0
2.4
5.8
Max
5
2.4
6.4
400
Unit
V
mA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
off
Turn Off Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 200A
R
G
= 6.8
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 200A
R
G
= 6.8
Min
Typ
17
0.6
250
100
850
120
300
100
1000
200
65
Max
Unit
nF
ns
ns
mJ
Test Conditions
I
F
= 200A
V
GE
= 0V
I
F
= 200A
V
R
= 900V
di/dt =900A/μs
I
F
= 200A
V
= 900V
di/dt =900A/μs T
j
= 125°C
Min
Typ
1.8
1.9
25
Max
2.2
Unit
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
F
Diode Forward Voltage
V
E
r
Reverse Recovery Energy
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
50
mJ
50
Q
rr
Reverse Recovery Charge
85
μC
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
0.10
0.16
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
3500
V
T
J
T
STG
T
C
-40
-40
-40
3
3
150
125
125
5
5
380
°C
For terminals
To Heatsink
M6
M6
Torque Mounting torque
N.m
Wt
Package Weight
g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT200DA120D3 Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200DA170D3 Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200SK170D3 Buck chopper Trench IGBT Power Module
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APTGT25A120D1 Phase leg Trench IGBT Power Module
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參數(shù)描述
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APTGT200A602G 功能描述:POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200A60T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200A60T3AG 功能描述:IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200A60TG 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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