參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT150X120TE3
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 235K
代理商： APTGT150X120TE3
APTGT150X120TE3
A
PT
G
T
15
0X
12
0T
E
3
–
R
ev
0
Ja
nu
ar
y,
20
04
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 4
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 6mA
1200
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
4
mA
Tj = 25°C
1.7
2.1
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE = 15V
IC = 150A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 6mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
10.8
Coes
Output Capacitance
0.56
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.5
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
250
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
420
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 150A
RG = 2.2
70
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
300
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
520
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 150A
RG = 2.2
90
ns
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 150A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.6
V
Erec
Reverse Recovery Energy
IF = 150A
VR = 600V
di/dt =900A/s
Tj = 125°C
12
mJ
Tj = 25°C
14
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 150A
VR = 600V
di/dt =900A/s Tj = 125°C
28
C
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max Unit
R25
Resistance @ 25°C
5
k
B 25/50
T25 = 298.16 K
3375
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
50
/
25
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
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PDF描述
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