參數(shù)資料
型號： APTGT150SK60T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 273K
代理商： APTGT150SK60T1G
APTGT150SK60T1G
APTGT150SK
60T1G
–
Re
v0
Au
gus
t,2007
www.microsemi.com
5 – 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
50
100
150
200
250
300
00.4
0.8
1.2
1.622.4
VF (V)
I C
(A
)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
IC (A)
Fm
ax
,Op
er
atin
g
F
req
uen
cy
(kH
z)
VCE=300V
D=50%
RG=3.3
TJ=150°C
Tc=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
T
h
er
m
al
I
m
p
edan
ce
(°C/W)
Diode
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTGT150TA60P 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150TA60P 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT150SK60TG 功能描述:IGBT 600V 225A 480W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGT150TA60PMG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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