參數資料
型號： APTGT150SK170D1
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Buck chopper Trench IGBT Power Module
中文描述： 降壓斬波溝道IGBT功率模塊
文件頁數： 2/3頁
文件大小： 154K
代理商： APTGT150SK170D1
APTGT150SK170D1
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 4mA
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 6 mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
1700
5.2
Typ
2.0
2.4
5.8
Max
4
2.4
6.4
200
Unit
V
mA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
off
Turn Off Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 150A
R
G
= 10
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 150A
R
G
= 10
Min
Typ
13
0.45
280
100
850
120
330
100
1000
200
47
Max
Unit
nF
ns
ns
mJ
Test Conditions
I
F
= 150A
V
GE
= 0V
I
F
= 150A
V
R
= 900V
di/dt =900A/μs
I
F
= 150A
V
= 900V
di/dt =900A/μs T
j
= 125°C
Min
Typ
1.8
1.9
17.5
Max
2.2
Unit
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
F
Diode Forward Voltage
V
E
r
Reverse Recovery Energy
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
35
mJ
37.5
Q
rr
Reverse Recovery Charge
62.5
μC
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
0.16
0.25
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
3500
V
T
J
T
STG
T
C
-40
-40
-40
2
3
150
125
125
3.5
5
180
°C
For terminals
To Heatsink
M5
M6
Torque Mounting torque
N.m
Wt
Package Weight
g
相關PDF資料
PDF描述
APTGT200A170D3 Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT200DA120D3 Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200DA170D3 Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200SK170D3 Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200U120D4 Single switch Trench IGBT Power Module
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參數描述
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APTGT150SK170G 功能描述:IGBT 1700V 250A 890W SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT150SK170XG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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