| 型號: | APTGT150SK170 |
| 廠商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類: | IGBT 晶體管 |
| 英文描述: | 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝: | MODULE-5 |
| 文件頁數(shù): | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 268K |
| 代理商: | APTGT150SK170 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT150SK170 | 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150SK60T1G | 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150TA60P | 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150TA60P | 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150TL60G | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT150SK170D1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module |
| APTGT150SK170D1G | 功能描述:IGBT 1700V 280A 780W D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT150SK170D3 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module |
| APTGT150SK170D3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGT150SK170G | 功能描述:IGBT 1700V 250A 890W SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B |