參數(shù)資料
型號： APTGT150A170D3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg Trench IGBT Power Module
中文描述： 相腳溝道IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 170K
代理商： APTGT150A170D3
APTGT150A170D3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 6mA
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 6mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
1700
5.2
Typ
2.0
2.4
5.8
Max
10
2.4
6.4
800
Unit
V
mA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
off
Turn Off Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 150A
R
G
= 9.1
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 150A
R
G
= 9.1
Min
Typ
12
0.45
200
100
750
100
230
100
900
200
50
Max
Unit
nF
ns
ns
mJ
Test Conditions
I
F
= 150A
V
GE
= 0V
I
F
= 150A
V
R
= 900V
di/dt =990A/μs
I
F
= 150A
V
= 900V
di/dt =990A/μs T
j
= 125°C
Min
Typ
1.8
1.9
20
Max
2.2
Unit
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
F
Diode Forward Voltage
V
E
r
Reverse Recovery Energy
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
35
mJ
40
Q
rr
Reverse Recovery Charge
65
μC
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
0.12
0.21
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
2500
V
T
J
T
STG
T
C
-40
-40
-40
3
3
150
125
125
5
5
380
°C
For terminals
To Heatsink
M6
M6
Torque Mounting torque
N.m
Wt
Package Weight
g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT150A60T Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150DA120D1 Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT150DA120D3 Boost Chopper Trench IGBT Power Module
APTGT150DA170D1 Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT150DA170D3 Boost chopper Trench IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT150A170G 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT150A60T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150A60T1G 功能描述:IGBT PHASE LEG 600V 225A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT150A60T3AG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk
APTGT150A60TG 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*