參數(shù)資料
型號： APTGT100TDU60P
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 三雙共源戴場站IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 292K
代理商： APTGT100TDU60P
APTGT100TDU60P
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
2500
-40
-40
-40
3
Typ
Max
0.44
0.77
175
125
100
5
250
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
T
J
T
STG
T
C
Torque Mounting torque
Wt
Package Weight
Package outline
(dimensions in mm)
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
V
°C
To heatsink
M6
N.m
g
5 places (3:1)
相關PDF資料
PDF描述
APTGT100X120TE3 3 Phase bridge Trench IGBT Power Module
APTGT150A120D1 Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT150A120D3 Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT150A120T Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150A170D1 Phase leg Trench IGBT Power Module
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT100TDU60PG 功能描述:IGBT MODULE TRIPLE DUAL SRC SP6P RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT100TL170G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PWR MOD IGBT 3LEVEL INVERTER SP6
APTGT100TL60T3G 功能描述:IGBT MODULE 3LEVEL INVERTER SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT100X120E3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge Trench IGBT Power Module
APTGT100X120E3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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