參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT100H60T3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 全-橋戴場(chǎng)站IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 296K
代理商： APTGT100H60T3
APTGT100H60T3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
=15V
I
C
= 100A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1.5 mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
5.0
Typ
1.5
1.7
5.8
Max
250
1.9
6.5
400
Unit
μA
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
V
CE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn on Energy
E
off
Turn off Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 100A
R
G
= 10
Inductive Switching (150°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 100A
R
G
= 10
Min
Typ
6100
390
190
115
45
225
55
130
50
300
70
1.8
3.5
Max
Unit
pF
ns
ns
mJ
Test Conditions
Min
600
Typ
100
1.6
1.5
125
220
4.7
9.9
Max
250
500
2
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
Tc = 80°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=600V
μA
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
I
F
= 100A
V
GE
= 0V
A
V
F
Diode Forward Voltage
V
t
rr
Reverse Recovery Time
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 100A
V
R
= 300V
di/dt =2000A/μs
μC
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PDF描述
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參數(shù)描述
APTGT100H60T3G 功能描述:IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT100H60TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT100SK120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT100SK120D1G 功能描述:IGBT 1200V 150A 520W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT100SK120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
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