參數(shù)資料
型號(hào)： APTGL475U120D4G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D4, 5 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 197K
代理商： APTGL475U120D4G
APTGL475U120D4G
APT
G
L
475U120D
4G
–
Rev
0
July,
2008
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V ; VCE = 1200V
4
mA
Tj = 25°C
1.8
2.2
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 400A
Tj = 150°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 10 mA
5
5.8
6.5
V
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
24.6
Coes
Output Capacitance
1.62
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
1.38
nF
QG
Gate charge
VGE= -8V / 15V ; VCE=600V
IC=400A
2.3
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
160
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
340
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VCE = 600V
IC = 400A
RG = 1.8Ω
80
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
170
Tr
Rise Time
40
Td(off)
Turn-off Delay Time
450
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VCE = 600V
IC = 400A
RG = 1.8Ω
170
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
TJ = 150°C
44
mJ
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VCE = 600V
IC = 400A
RG = 1.8Ω
TJ = 150°C
44
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 900V
tp ≤10s ; Tj = 150°C
1600
A
Diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
250
IRRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 150°C
2000
A
IF
DC Forward Current
Tj = 80°C
400
A
Tj = 25°C
1.7
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 400A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.65
V
Tj = 25°C
155
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
300
ns
Tj = 25°C
37.2
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 150°C
78
C
Tj = 25°C
16
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 400A
VR = 600V
di/dt = 7000A/s
Tj = 150°C
32
mJ
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PDF描述
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