參數(shù)資料
型號： APTGF90DA60T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 313K
代理商： APTGF90DA60T1G
APTGF90DA60T1G
APTG
F90DA
60T
1G
–
R
ev
0
A
ugu
st
,20
07
www.microsemi.com
2 – 6
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
2.0
2.5
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE =15V
IC = 90A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 1mA
3
5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20 V, VCE = 0V
±150
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
4300
Coes
Output Capacitance
470
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
400
pF
Qg
Total gate Charge
330
Qge
Gate – Emitter Charge
290
Qgc
Gate – Collector Charge
VGE = 15V
VBus = 300V
IC = 90A
200
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
26
Tr
Rise Time
25
Td(off)
Turn-off Delay Time
150
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 90A
RG = 5
30
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
26
Tr
Rise Time
25
Td(off)
Turn-off Delay Time
170
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 90A
RG = 5
40
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
4.3
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 90A
RG = 5
Tj = 125°C
3.5
mJ
Chopper diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
100
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
100
A
IF = 100A
1.6
2
IF = 200A
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 100A
Tj = 125°C
1.3
V
Tj = 25°C
160
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
220
ns
Tj = 25°C
290
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 100A
VR = 400V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
1530
nC
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PDF描述
APTGF90DH60T3G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90DSK60T3G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90H60TG 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90H60T 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90H60T 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGF90DA60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper NPT IGBT Power Module Power Module
APTGF90DA60TG 功能描述:IGBT 600V 110A 416W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGF90DH60TG 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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