參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF90DA60CT1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 212K
代理商： APTGF90DA60CT1G
APTGF90DA60CT1G
APT
G
F90DA60CT
1G
–
Rev
0
Septem
ber
,2009
www.microsemi.com
2 – 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
250
A
Tj = 25°C
2
2.5
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 100A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 1.5mA
4.5
5.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
4.3
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V ; VCE = 25V
f = 1MHz
0.4
nF
QG
Gate charge
VGE= 15V ; VCE=300V
IC=100A
240
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
25
Tr
Rise Time
10
Td(off)
Turn-off Delay Time
130
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 100A
RG = 2.2Ω
20
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
25
Tr
Rise Time
11
Td(off)
Turn-off Delay Time
150
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 100A
RG = 2.2Ω
30
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
0.6
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 100A
RG = 2.2Ω
Tj = 125°C
3
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
450
A
Chopper SiC diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
200
800
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 175°C
400
4000
A
IF
DC Forward Current
Tc = 100°C
40
A
Tj = 25°C
1.6
1.8
VF
Diode Forward Voltage
IF = 40A
Tj = 175°C
2
2.4
V
QC
Total Capacitive Charge
IF = 40A, VR = 300V
di/dt =1200A/s
56
nC
f = 1MHz, VR = 200V
260
C
Total Capacitance
f = 1MHz, VR = 400V
200
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF90DA60T1G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90DH60T3G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90DSK60T3G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90H60TG 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90H60T 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APTGF90DA60D1G 功能描述:IGBT 600V 130A 445W D1 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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