參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF75SK60D1
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Buck chopper NPT IGBT Power Module
中文描述： 降壓斬波器不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： APTGF75SK60D1
APTGF75SK60D1
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 500μA
T
j
= 25°C
Zero Gate Voltage Collector Current
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
I
C
= 75A
Gate Threshold Voltage
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1.5 mA
Gate – Emitter Leakage Current
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
600
4.5
Typ
1
1
1.95
2.2
5.5
Max
500
2.45
6.5
400
Unit
V
μA
mA
I
CES
V
GE
= 0V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
off
Turn off Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 75A
R
G
= 3
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 75A
R
G
= 3
Min
Typ
3300
300
65
20
155
20
65
25
170
35
2.4
Max
Unit
pF
ns
ns
mJ
Test Conditions
I
F
= 75A
V
GE
= 0V
I
F
= 75A
V
R
= 300V
di/dt =800A/μs
I
F
= 75A
V
= 300V
di/dt =800A/μs T
j
= 125°C
Min
Typ
1.25
1.2
Max
1.6
Unit
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
F
Diode Forward Voltage
V
E
R
Reverse Recovery Energy
T
j
= 125°C
2.3
mJ
T
j
= 25°C
5
Q
rr
Reverse Recovery Charge
8
μC
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
0.35
0.66
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
2500
V
T
J
T
STG
T
C
-40
-40
-40
2
3
150
125
125
3.5
5
180
°C
For terminals
To Heatsink
M5
M6
N.m
N.m
g
Torque Mounting torque
Wt
Package Weight
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF90A60T Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF90DU60T Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF90SK60D1 Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF90X60E3 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF90X60TE3 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
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參數(shù)描述
APTGF75SK60D1G 功能描述:IGBT 600V 100A 355W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90A60D1G 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90A60T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF90A60T1G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90A60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module Power Module
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