參數(shù)資料
型號： APTGF50TA120P
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-21
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 318K
代理商： APTGF50TA120P
APTGF50TA120P
A
P
T
G
F
50
T
A
120P
–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 6
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 70°C
60
A
IF = 60A
2
2.5
IF = 120A
2.3
VF
Diode Forward Voltage
IF = 60A
Tj = 125°C
1.8
V
Tj = 25°C
400
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
470
ns
Tj = 25°C
1200
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 60A
VR = 800V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
4000
nC
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.4
RthJC
Junction to Case
Diode
0.9
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
250
g
Package outline
5 places (3:1)
相關PDF資料
PDF描述
APTGF50TA120P 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF75DA120T1G 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF75DH120T 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF75DH120T 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF75H120TG 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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