參數(shù)資料
型號： APTGF50DDA60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, MODULE-25
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 292K
代理商： APTGF50DDA60T3G
CGY1041
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Product data sheet
Rev. 1 — 10 February 2011
5 of 8
NXP Semiconductors
CGY1041
1 GHz, 21 dB gain GaAs push-pull amplifier
7.
Abbreviations
8.
Revision history
Table 6.
Abbreviations
Acronym
Description
CATV
Community Antenna TeleVision
ESD
ElectroStatic Discharge
GaAs
Gallium Arsenide
NTSC
National Television Standard Committee
PAL
Phase Alternating Line
RF
Radio Frequency
UNC
UNified Coarse
Table 7.
Revision history
Document ID
Release date
Data sheet status
Change notice
Supersedes
CGY1041 v.1
20110210
Product data sheet
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50DSK120T3G 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50H60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50H60T3 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50H60T3 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50TA120P 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF50DH120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50DH120T3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3
APTGF50DH120TG 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50DH60T1G 功能描述:IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50DH60TG 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
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