參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF50DDA120T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 242K
代理商： APTGF50DDA120T3G
APTGF50DDA120T3G
APTGF50DDA12
0T3G
–
Rev
1
A
pril,
2009
www.microsemi.com
4- 7
Typical IGBT Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
40
80
120
160
02
468
Ic
,C
o
ll
e
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
012
34
Ic
,C
o
lle
c
tor
C
u
rr
e
nt
(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
04
8
12
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
lle
c
tor
C
u
rr
e
nt
(A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=240V
VCE=600V
VCE=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
GE
,Ga
te
t
o
E
m
it
te
rVolta
g
e
(V
)
IC = 50A
TJ = 25°C
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
ll
ect
o
rt
o
Em
it
te
rB
reakd
ow
n
Vo
lt
ag
e
(Nor
m
a
li
z
e
d)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
70
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,
D
C
o
ll
e
c
tor
C
u
rr
e
n
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50DSK60T3 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DSK60T3 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50H60T1G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50SK120T1G 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50SK120T 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF50DDA60T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50DH120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
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APTGF50DH60T1G 功能描述:IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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