參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF500U60D4
廠(chǎng)商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Single switch NPT IGBT Power Module
中文描述： 單開(kāi)關(guān)不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 209K
代理商： APTGF500U60D4
APTGF500U60D4
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1
1
500
2.45
6.5
400
μA
mA
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
I
C
= 500A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 6mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
1.95
2.2
5.5
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn on Energy
E
off
Turn off Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
4.5
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 600A
R
G
= 4.7
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 600A
R
G
= 4.7
Min
Typ
26
2.4
174
80
Max
Unit
nF
400
70
200
85
420
80
11
22
ns
ns
mJ
Test Conditions
I
F
= 600A
V
GE
= 0V
I
F
= 600A
V
R
= 300V
di/dt =5600A/μs
Min
Typ
1.25
1.2
40
Max
1.6
Unit
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
F
Diode Forward Voltage
V
Q
rr
Reverse Recovery Charge
T
j
= 125°C
66
μC
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
2500
-40
-40
-40
3
1
Typ
Max
0.06
0.12
150
125
125
5
2
420
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
T
J
T
STG
T
C
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
V
°C
M6
M4
Torque Mounting torque
N.m
Wt
Package Weight
g
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PDF描述
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APTGF50A120TG 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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