參數(shù)資料
型號： APTGF350SK60
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Buck chopper NPT IGBT Power Module
中文描述： 降壓斬波器不擴散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 299K
代理商： APTGF350SK60
APTGF350SK60
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (V
GE
=15V)
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
I
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=720A
Ic=360A
Ic=180A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
C
,
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
T
J
= 25°C
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=720A
Ic=360A
Ic=180A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
T
J
, Junction Temperature (°C)
0
25
50
75
100
125
V
C
,
On state Voltage vs Junction Temperature
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
V
GE
= 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
, Junction Temperature (°C)
C
V
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
160
320
480
640
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
, Case Temperature (°C)
I
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
V
CE
=120V
V
CE
=300V
V
CE
=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
Gate Charge (nC)
V
G
,
I
C
= 360A
T
J
= 25°C
Output Characteristics (V
GE
=10V)
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
200
400
600
800
1000
I
1200
0
1
2
3
4
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF360U60D4 Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF500U60D4 Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF50DDA60T3G Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module
APTGF50DSK60T3 Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF50DU120T Dual common source NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF350SK60G 功能描述:IGBT 600V 430A 1562W SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF360U60D4 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF360U60D4G 功能描述:IGBT 600V 450A 1560W D4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF400U120D4G 功能描述:IGBT 1200V 510A 2500W D4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF500U60D4 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Single switch NPT IGBT Power Module
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*