參數(shù)資料
型號： APTGF330A60D3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 212K
代理商： APTGF330A60D3G
APTGF330A60D3G
APT
G
F330A60D3G
–
Rev
1
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
500
A
Tj = 25°C
1.95
2.45
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 400A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 7.5 mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
1200
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
18
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V ; VCE = 25V
f = 1MHz
1.6
nF
QG
Gate charge
VGE=15V, IC=400A
VCE=300V
1.3
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
150
Tr
Rise Time
72
Td(off)
Turn-off Delay Time
530
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 400A
RG = 8Ω
40
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
160
Tr
Rise Time
75
Td(off)
Turn-off Delay Time
550
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 400A
RG = 8Ω
50
ns
Eon
Turn on Energy
Tj = 125°C
18
Eoff
Turn off Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 400A
RG = 8Ω
Tj = 125°C
17
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
1800
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
750
IRRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR = 600V
Tj = 125°C
1000
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
400
A
Tj = 25°C
1.25
1.6
VF
Diode Forward Voltage
IF = 400A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.2
V
Tj = 25°C
150
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
250
ns
Tj = 25°C
27
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 125°C
44
C
Tj = 25°C
5.6
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 400A
VR = 300V
di/dt =4400A/s
Tj = 125°C
9.2
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF330DA60D3G 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF330DA60D3 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF330DA60D3 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF330SK60D3G 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DDA120T3G 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGF330DA60D3G 功能描述:IGBT 600V 460A 1400W D3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
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