參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF30H60T3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-25
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 321K
代理商： APTGF30H60T3
APTGF30H60T3
A
P
T
G
F
30
H
60T
3–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
30
60
90
120
01234
Ic
,C
o
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
0123456789
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
lle
ct
o
r
C
u
rr
en
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=60A
Ic=30A
Ic=15A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,C
o
lle
c
to
r
to
E
m
it
te
rV
o
lt
a
g
e(
V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=60A
Ic=30A
Ic=15A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
255075
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,Co
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
r
V
o
lt
ag
e
(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50-25
0
25
50
75100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
Co
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
r
Br
e
ak
d
o
w
n
V
o
lt
ag
e(N
o
rm
a
liz
e
d
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,DC
Co
lle
ct
o
rCu
rr
e
n
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
204060
80
100
120
Gate Charge (nC)
V
GE
,Gat
eto
E
m
it
ter
V
o
lt
ag
e
(V
)
IC = 30A
TJ = 25°C
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
012
34
Ic
,C
o
lle
ct
o
rC
u
rre
nt
(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF330A60D3G 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF330DA60D3G 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF330DA60D3 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF330DA60D3 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF330SK60D3G 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF30H60T3G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF30TL601G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 30A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF30TL60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter NPT IGBT Power Module
APTGF30X60BTP2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF30X60BTP2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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