參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF30H60T3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Full - Bridge NPT IGBT Power Module
中文描述： 全-橋不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 331K
代理商： APTGF30H60T3
APTGF30H60T3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
V
GE
= 15V
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 125°C
V
CE
= 400V
R
G
= 6.8
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
25
50
75
100
125
0
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
V
CE
= 400V
R
G
= 6.8
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
0
10
20
30
40
50
0
10
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
20
30
40
50
60
70
t
Current Rise Time vs Collector Current
V
CE
= 400V
R
G
= 6.8
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Fall Time vs Collector Current
V
CE
= 400V, V
GE
= 15V, R
G
= 6.8
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
0
0.25
0.5
0.75
1
0
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
E
o
,
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
V
CE
= 400V
R
G
= 6.8
T
J
= 125°C
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
50
60
70
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
E
o
,
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 6.8
Eon, 30A
Eoff, 30A
0
0.25
0.5
0.75
1
0
5
Gate Resistance (Ohms)
10
15
20
25
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
0
100
200
300
400
500
600
I
C
,
Minimum Switching Safe Operating Area
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF30X60BTP2 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF30X60E2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF30X60P2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF330A60D3 Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF330SK60D3 Buck chopper NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF30H60T3G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP3 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF30TL601G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 30A SP1 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF30TL60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter NPT IGBT Power Module
APTGF30X60BTP2 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF30X60BTP2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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