參數(shù)資料
型號： APTGF300U60D4
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Single switch NPT IGBT Power Module
中文描述： 單開關(guān)不擴散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 209K
代理商： APTGF300U60D4
APTGF300U60D4
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1
1
500
2.45
6.5
400
μA
mA
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
I
C
= 300A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 6mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
1.95
2.2
5.5
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn on Energy
E
off
Turn off Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
4.5
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 300A
R
G
= 3.3
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 300V
I
C
= 300A
R
G
= 3.3
Min
Typ
13
1.2
100
68
Max
Unit
nF
320
45
105
70
350
50
7
11
ns
ns
mJ
Test Conditions
I
F
= 300A
V
GE
= 0V
Min
Typ
1.25
1.2
7
19
34
Max
1.6
Unit
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
F
Diode Forward Voltage
V
E
R
Reverse Recovery Energy
mJ
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 300A
V
R
= 300V
di/dt =4000A/μs
μC
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
2500
-40
-40
-40
3
1
Typ
Max
0.11
0.21
150
125
125
5
2
420
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
T
J
T
STG
T
C
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
V
°C
M6
M4
Torque Mounting torque
N.m
Wt
Package Weight
g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF30H60T3 Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF30X60BTP2 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF30X60E2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF30X60P2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF330A60D3 Phase leg NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF300U60D4G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF30A60T1G 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF30H60T1G 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF30H60T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF30H60T3G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*