參數(shù)資料
型號： APTGF25H120T3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Full - Bridge NPT IGBT Power Module
中文描述： 全-橋不擴散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 328K
代理商： APTGF25H120T3
APTGF25H120T3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 6
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
R
25
Resistance @ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.16 K
Min
Typ
68
4080
Max
Unit
k
K
=
T
T
B
R
R
T
1
1
exp
25
85
/
25
25
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
2500
-40
-40
-40
Typ
Max
0.6
1
150
125
100
4.7
110
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
T
J
T
STG
T
C
Torque Mounting torque
Wt
Package Weight
Package outline
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
V
°C
To heatsink
M4
N.m
g
1
12
2
1
T: Thermistor temperature
R
T
: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF300A120 Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF300DU120 Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF300U120D Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module
APTGF300U60D4 Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF30H60T3 Full - Bridge NPT IGBT Power Module
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參數(shù)描述
APTGF25H120T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF25H120T3G_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF25X120E2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF25X120E2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF25X120P2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
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