參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF25DDA120T3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module
中文描述： 雙升壓斬波不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 327K
代理商： APTGF25DDA120T3
APTGF25DDA120T3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 6
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
2.5
4
Typ
1
1
3.2
4.0
Max
500
3.7
6
400
Unit
μA
mA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
V
GE
=15V
I
C
= 25A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Total gate Charge
Q
ge
Gate – Emitter Charge
Q
gc
Gate – Collector Charge
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
X
E
off
Turn-off Switching Energy
Y
X
E
on
includes diode reverse recovery
Y
In accordance with JEDEC standard JESD24-1
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Min
Typ
1650
250
110
160
10
70
60
50
305
30
60
50
346
40
3.5
1.5
Max
Unit
pF
V
GE
= 15V
V
Bus
= 300V
I
C
=25A
nC
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 400V
I
C
= 25A
R
G
= 22
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 400V
I
C
= 25A
R
G
= 22
ns
ns
mJ
Test Conditions
Min
1200
Typ
Max
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
Tc = 70°C
250
500
2.5
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=1200V
μA
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
I
F
= 60A
I
F
= 120A
I
F
= 60A
I
F
= 60A
V
R
= 800V
di/dt =200A/μs
I
F
= 60A
V
R
= 800V
di/dt =200A/μs
60
2
2.3
1.8
A
V
F
Diode Forward Voltage
T
j
= 125°C
V
T
j
= 25°C
400
t
rr
Reverse Recovery Time
T
j
= 125°C
470
ns
T
j
= 25°C
1.2
Q
rr
Reverse Recovery Charge
T
j
= 125°C
4
μC
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PDF描述
APTGF25DSK120T3 Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module
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APTGF300U120D Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module
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參數(shù)描述
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APTGF25H120T2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 1200V 40V SP2
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