參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF250A60D3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D3, 11 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 211K
代理商： APTGF250A60D3G
APTGF250A60D3G
APT
G
F250A60D3G
–
Rev
0
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
500
A
Tj = 25°C
1.95
2.45
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 300A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 6 mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
13
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V ; VCE = 25V
f = 1MHz
1.2
nF
QG
Gate charge
VGE=15V, IC=300A
VCE=300V
720
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
150
Tr
Rise Time
72
Td(off)
Turn-off Delay Time
530
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 300A
RG = 6Ω
40
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
160
Tr
Rise Time
75
Td(off)
Turn-off Delay Time
550
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 300A
RG = 6Ω
50
ns
Eon
Turn on Energy
Tj = 125°C
14
Eoff
Turn off Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 300A
RG = 6Ω
Tj = 125°C
13
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
1350
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
750
IRRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 125°C
1000
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
300
A
Tj = 25°C
1.25
1.6
VF
Diode Forward Voltage
IF = 300A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.2
V
Tj = 25°C
150
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
250
ns
Tj = 25°C
20
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 125°C
32
C
Tj = 25°C
4
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 300A
VR = 300V
di/dt =4800A/s
Tj = 125°C
7.6
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF250SK60D3G IGBT
APTGF25DSK120T3G 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF25X120T3G 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF300A120D3G IGBT
APTGF300DA120G 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF250DA60D3G 功能描述:IGBT 600V 400A 1250W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF250SK60D3G 功能描述:IGBT 600V 400A 1250W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF25A120T1G 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF25DDA120T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module
APTGF25DDA120T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT DL BST CHOP SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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