參數(shù)資料
型號： APTGF200U120D
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module
中文描述： 單系列開關(guān)二極管和IGBT功率模塊不擴散核武器條約
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 300K
代理商： APTGF200U120D
APTGF200U120D
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 – 6
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
2500
-40
-40
-40
3
2
Typ
Max
0.11
0.23
150
125
100
5
3.5
280
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
T
J
T
STG
T
C
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
V
°C
To heatsink
For terminals
M6
M5
Torque Mounting torque
N.m
Wt
Package Weight
g
Package outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF200U60D4 Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF20X60BTP2 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF20X60E2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF20X60P2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF25DDA120T3 Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF200U120DG 功能描述:IGBT 1200V 275A 1136W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200U120T1G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF200U60D4 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF20X60BTP2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF20X60BTP2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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