參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF180SK60T
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 302K
代理商： APTGF180SK60T
APTGF180SK60T
A
PT
G
F180S
K
60T
–
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
1- 6
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Features
Non Punch Through (NPT) THUNDERBOLT IGBT
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 100 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
Absolute maximum ratings
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
0/VBU S
NTC1
OUT
Q1
VBUS
NTC2
0/VBU S SENSE
G1
E1
NTC2
OUT
E1
NTC1
VBUS
0/VBUS
SENSE
0/VBUS
SENSE
0/VBUS
G1
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
Tc = 25°C
220
IC
Continuous Collector Current
Tc = 80°C
180
ICM
Pulsed Collector Current
Tc = 25°C
630
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
833
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 150°C
630A @ 600V
VCES = 600V
IC = 180A @ Tc = 80°C
Buck chopper
NPT IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF200U120DG 275 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF250A60D3G IGBT
APTGF250SK60D3G IGBT
APTGF25DSK120T3G 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF25X120T3G 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF180SK60TG 功能描述:IGBT 600V 220A 833W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200A120D3G 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200DA120D3G 功能描述:IGBT 1200V 300A 1400W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200SK120D3G 功能描述:IGBT 1200V 300A 1400W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF200U120D 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module
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