參數(shù)資料
型號： APTGF150X60TE3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, E3, 35 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 296K
代理商： APTGF150X60TE3G
APTGF150X60TE3G
A
P
T
G
F
150
X
60T
E
3G
–
R
ev
2
A
pr
il,
2006
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
1.7
2.0
2.5
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE =15V
IC = 200A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 4 mA
4.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
9000
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1MHz
800
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
163
Tr
Rise Time
43
Td(off)
Turn-off Delay Time
253
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 200A
RG = 1.5
33
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
180
Tr
Rise Time
49
Td(off)
Turn-off Delay Time
285
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 200A
RG = 1.5
41
ns
Eon
Turn on Energy
Tj = 125°C
3.7
Eoff
Turn off Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 200A
RG = 1.5
Tj = 125°C
6.3
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
150
A
Tj = 25°C
1.25
1.6
VF
Diode Forward Voltage
IF = 150A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.2
V
Er
Reverse Recovery Energy
Tj = 125°C
4
mJ
Tj = 25°C
150
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
250
ns
Tj = 25°C
11
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 150A
VR = 300V
di/dt =5600A/s
Tj = 125°C
17
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF200DA120D3G IGBT
APTGF200SK120D3G IGBT
APTGF25A120T1G 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF25H120T1G 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF25H120T3G 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGF15A120T1G 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE 1200V SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF15H120T1G 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF15H120T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF15H120T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF15X120E2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
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