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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APTGF150SK120T |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Buck chopper NPT IGBT Power Module |
| 中文描述： | 降壓斬波器不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 285K |
| 代理商： | APTGF150SK120T |
APTGF150SK120T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
100
200
300
400
500
0
0.5
1
1.5
V
F
(V)
2
2.5
3
I
C
hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
40
80
120
160
200
I
C
(A)
F
V
CE
=600V
D=50%
R
G
=5.6
T
J
=125°C
T
C
=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
rectangular Pulse Duration (Seconds)
0.01
0.1
1
10
T
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF150X60E3 | 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF150X60TE3G | 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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| APTGF15X120E2 | 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF15X120P2 | 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGF150SK120TG | 功能描述:IGBT 1200V 200A 961W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF150X60E3 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF150X60E3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF150X60TE3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF15A120T1G | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE 1200V SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
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