參數(shù)資料
型號： APTGF150DH120
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
中文描述： 非對稱-橋不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 219K
代理商： APTGF150DH120
APTGF150DH120
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output characteristics (V
GE
=15V)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output characteristics (V
GE
=10V)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
0
50
100
150
200
250
300
4
6
8
10
12
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
I
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
V
CE
=600V
V
CE
=800V
0
4
8
12
16
20
0
250
500
750
1000
1250
Gate Charge (nC)
V
G
,
I
C
= 150A
T
J
= 25°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
25
T
C
, Case Temperature (°C)
50
75
100
125
150
I
DC Collector Current vs Case Temperature
tdoff
tdon
tr
tf
10
100
1000
0
50
Ic, Collector current (A)
100
150
200
t
Switching times vs collector current
V
CE
= 600V
V
GE
=
±
15V
R
G
=5
T
J
= 125°C
Cres
Coes
Cies
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
C
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
Eon
Eoff
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
24
28
32
Gate resistance (Ohms)
S
Switching energy losses vs Gate resistance
V
CE
= 600V
V
GE
=
±
15V
I
C
=150A
T
J
= 125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF150H120 Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF300SK120 Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF350A60 Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF350DU60 Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF50A120T Phase leg NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF150DH120G 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGF150DU120TG 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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