參數(shù)資料
型號(hào)： APT8DQ60KG
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
中文描述： 超快軟恢復(fù)整流二極管
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 138K
代理商： APT8DQ60KG
APT8DQ60K_SA(G)
0
APT6038BLL
4
3
1
2
5
5
Zero
1
2
3
4
di
F
/dt - Rate of Diode Current Change Through Zero Crossing.
I
F
- Forward Conduction Current
I
RRM
- Maximum Reverse Recovery Current.
trr - Reverse
R
ecovery Time, measured from zero crossing where
diode
current goes from positive to negative, to the point at which the straight
line through I
RRM
and 0.25 I
RRM
passes through zero.
Qrr - Area Under the Curve Defined by I
RRM
and trr.
Figure 9. Diode Test Circuit
Figure 10, Diode Reverse Recovery Waveform and Definitions
0.25 IRRM
PEARSON 2878
CURRENT
TRANSFORMER
di
F
/dt Adjust
30
μ
H
D.U.T.
+18V
0V
Vr
trr/Qrr
Waveform
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
5.33 (.210)
14.73 (.580)
.83 (.033)
5.33 (.210)
4.82 (.190)
1.39 (.055)
4.08 (.161) Dia.
MAX.
6.85 (.270)
1.77 (.070) 2-Plcs.
2.92 (.115)
3.42 (.135)
0.50 (.020)
Anode
Cathode
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Cathode
MAX.
12.192 (.480)
3.683 (.145)
10.66 (.420)
10.06 (.396)
1.22 (.048)
2.54 (.100) BSC
4.45 (.175)
1.27 (.050)
0.330 (.013)
Dimensions in Millimeters (Inches)
Heat Sink (Cathode)
C
(
Cathode
Anode
0.000 (.000)
2.62 (.103)
6.02 (.237)
1.40 (.055)
7.54 (.297)
8.51 (.335)
0.762 (.030)
0.050 (.002)
3.68 (.145)
TO-220 (K) Package Outline
TO-263 D
2
(SA) Package Outline
100% Sn
e3
100% Sn
e3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT8DQ60SA ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT8DQ60SAG ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT8GT60KR The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT94N60L2C3 Super Junction MOSFET
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APT8M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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