參數(shù)資料
型號(hào)： APT83GU30B
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 99K
代理商： APT83GU30B
0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10,000
10
30
50
70
90
110
130
250
100
50
10
1,000
500
100
50
10
350
300
250
200
150
100
50
0
C
P
F
I
C
,
F
M
,
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
50
100
150
200
250
300
350
I
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
T
J
= 125
°
C
T
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 200V
R
G
= 5
Cies
Coes
max
F
max1
max2
max1
d(on)
P
E
T
R
θ
r
d(off )
f
diss
cond
P
E
+
max2
on2
off
J
C
diss
JC
min(f
,f
0.05
+
)
f
t
t
t
t
f
T
P
=
=
+
+
=
=
Cres
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x Z
θ
JC + TC
t1
t2
P
Z
θ
J
,
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
APT83GU30B_S
0.0106
0.0868
0.133
0.00663F
0.0106F
0.262F
Power
(watts)
Junction
temp. ( C)
RC MODEL
Case temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT83GU30S POWER MOS 7 IGBT
APT8DQ60K3CT ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT8DQ60K3CTG ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT8DQ60K3 ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT8DQ60K3G ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT83GU30S 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT84F50B2 功能描述:MSOFET N-CH 500V 84A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT84F50L 功能描述:MSOFET N-CH 500V 84A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT84M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT84M50B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
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