參數(shù)資料
型號： APT8075BN
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
中文描述： N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： APT8075BN
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
V
G
,
I
D
,
I
D
,
C
TO-247AD Package Outline
0
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
Gate
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
3.55 (.140)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Dimensions in Millimeters and (Inches)
D
C
°
C
J
°
C
SINGLE PULSE
0
8
4
12
16
20
20
2
1
5
10
10
100
1,000
10,000
100
50
10
30
50
0
40
20
1
10
60
TJ = +25
°
C
0 0.5 1.0 1.5 2.0
DC
100mS
10mS
1mS
100
μ
S
10
μ
S
1
5
10
50 100
800
0
40
80
120
160
200
VDS=400V
VDS=160V
APT8090BN
APT8075BN
APT8090BN
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
APT8075BN
Crss
Coss
Ciss
VDS=80V
TJ = +150
°
C
APT8075/8090BN
I
D
= I
D
[Cont.]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT8075BVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8075BVFR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT80GP60B2 POWER MOS 7 IGBT
APT80GP60JDQ3 POWER MOS 7 IGBT
APT83GU30B POWER MOS 7 IGBT
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參數(shù)描述
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APT8075BVR 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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