參數(shù)資料
型號： APT8065BVR
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
中文描述： 電源MOS V是一個高電壓N新一代通道增強型功率MOSFET。
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 60K
代理商： APT8065BVR
Symbol
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
C
iss
C
oss
C
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Test Conditions
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
f = 1 MHz
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D[Cont.]
@ 25
°
C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D[Cont.]
@ 25
°
C
R
G
= 1.6
MIN
TYP
MAX
3050
300
150
150
17
70
12
11
60
12
3700
420
225
225
25
105
24
22
90
24
UNIT
pF
nC
ns
APT8065AVR
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
3
Gate-Source Charge
Gate-Drain ("Miller") Charge
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
0
Characteristic / Test Conditions
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulsed Source Current
1
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
2
(V
GS
= 0V, I
S
= -I
D[Cont.]
)
Reverse Recovery Time (I
S
= -I
D[Cont.]
, dl
S
/dt = 100A/
μ
s)
Reverse Recovery Charge (I
S
= -I
D[Cont.]
, dl
S
/dt = 100A/
μ
s)
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
Volts
ns
μ
C
MIN
TYP
MAX
11.5
46
1.3
650
9
1
Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction
temperature.
2
Pulse Test: Pulse width < 380
μ
S, Duty Cycle < 2%
3
See MIL-STD-750 Method 3471
4
Starting T
j
=
+25
°
C, L = 18.3mH, R
G
=
25
, Peak I
L
= 11.5A
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JA
MIN
TYP
MAX
0.62
30
UNIT
°
C/W
Characteristic
Junction to Case
Junction to Ambient
Z
θ
J
,
°
C
10
-5
10
-4
10
-3
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
10
-2
10
-1
1.0
10
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
0.7
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x Z
θ
JC + TC
t1
t2
P
0.1
SINGLE PULSE
0.02
0.05
0.2
D=0.5
0.01
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PDF描述
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APT8065SVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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APT8067HVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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