參數(shù)資料
型號： APT8065AVR
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
中文描述： 電源MOS V是一個高電壓N新一代通道增強型功率MOSFET。
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： APT8065AVR
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
V
G
,
I
D
,
I
D
,
C
APT8065AVR
0
1
5
10
50 100
800
.01
.1
1
10
50
0
50
100
150
200
250
300
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
TC =+25
°
C
TJ =+150
°
C
SINGLE PULSE
50
10
5
1
.5
.1
20
16
12
8
4
0
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
TJ =+150
°
C
TJ =+25
°
C
Crss
Coss
Ciss
15,000
10,000
5,000
1,000
500
100
50
10
5
1
.5
.1
VDS=100V
VDS=400V
I
D
= I
D
[Cont.]
10
μ
S
1mS
10mS
100mS
DC
100
μ
S
VDS=250V
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
5,256,583
TO-3 (TO-204AE) Package Outline
22.23 (.875) Max.
6.35 (.250)
9.15 (.360)
Drain
(Case)
Source
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Seating
Plane
7.92 (.312)
12.70 (.500)
1.52 (.060)
3.43 (.135)
1.47 (.058)
1.60 (.063)
(2-Places)
16.64 (.655)
17.15 (.675)
29.90 (1.177)
30.40 (1.197)
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
25.15 (0.990)
26.67 (1.050)
10.67 (.420)
11.18 (.440)
5.21 (.205)
5.72 (.225)
3.84 (.151)
4.09 (.161)
(2-Places)
Gate
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PDF描述
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