參數(shù)資料
型號(hào)： APT75GT120JU3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
中文描述： 1000V的集電極降壓斬波溝道IGBT
文件頁數(shù)： 7/7頁
文件大小： 618K
代理商： APT75GT120JU3
APT75GT120JU3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
7 - 7
SOT-227 (ISOTOP
) Package Outline
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
Emitter terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Emitter terminal.
ISOTOP
is a Registered Trademark of SGS Thomson
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Emitter
Gate
Collector
Anode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT77N60JC3 Super Junction MOSFET
APT8011JFLL Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT8011 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT8011JLL Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT8014JFLL Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
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參數(shù)描述
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APT75M50B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
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APT77N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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