參數資料
型號： APT75GT120JR
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Thunderbolt IGBT
中文描述： IGBT的霹靂
文件頁數： 4/6頁
文件大?。?/td> 448K
代理商： APT75GT120JR
0
APT75GT120JR
E
off,
150A
E
on2,
150A
E
on2,
75A
E
off,
75A
E
on2,
37.5A
E
off,
37.5A
75
V
GE
=15V,T
J
=125°C
V
GE
=15V,T
J
=25°C
V
CE
=
400V
R
=
1.0
L = 100μH
E
O
,
t
r
R
t
d
,
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
E
O
,
t
f
F
t
d
(
,
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
, GATE RESISTANCE (OHMS)
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 1.0
R
G
=
1
.
0
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
400V
V
CE
= 400V
T
J
= 25°C
,
or 125°C
R
= 1.0
L = 100μH
10
40
60
50
40
30
20
10
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
50000
40000
30000
20000
10000
0
100000
80000
60000
40000
20000
0
V
GE
= 15V
T
J
=
125°C, V
GE
=
15V
T
J
=
25 or 125°C,V
GE
=
15V
T
J
=
25°C, V
GE
=
15V
T
J
=
125°C
T
J
=
25°C
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 1.0
T
J
=
125°C
T
J
=
25°C
70
100
130
160
10
40
70
100
130
160
10
40
70
100
130
160
10
40
70
100
130
160
10
40
70
100
130
160
10
40
70
100
130
160
0
10
20
30
40
50
0
25
50
100
125
R
G
=
1.0
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
400V
500
400
300
200
100
0
70
60
50
40
30
20
10
0
10000
8000
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4000
2000
0
45000
40000
35000
30000
25000
20000
15000
10000
5000
0
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 1.0
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
E
off,
150A
E
on2,
150A
E
off,
75A
E
on2,
75A
E
off,
37.5A
E
on2,
37.5A
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