參數(shù)資料
型號(hào)： APT75GP120JDQ3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 463K
代理商： APT75GP120JDQ3
0
APT75GP120JDQ3
V
GE
=15V,T
J
=125°C
V
GE
=15V,T
J
=25°C
V
CE
=
600V
R
=
5
L = 100 μH
E
O
,
t
r
R
t
d
,
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
E
O
,
t
f
F
t
d
(
,
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
, GATE RESISTANCE (OHMS)
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
R
G
=
5
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
600V
V
CE
= 600V
T
J
= 25°C
,
T
J
=125°C
R
= 5
L = 100 μH
0
20
30
20
10
0
100
80
60
40
20
0
15000
10000
5000
0
20000
15000
10000
5000
0
V
GE
= 15V
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
R
G
=
5
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
600V
T
J
=
25 or 125°C,V
GE
=
15V
T
J
=
125°C, V
GE
=
15V
T
J
=
25°C, V
GE
=
15V
350
300
250
200
150
100
50
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
15000
12500
10000
7500
5000
2500
0
T
J
=
125°C,V
GE
=
15V
T
J
=
25°C,V
GE
=
15V
T
J
=
125°C, V
GE
=
15V
T
J
=
25°C, V
GE
=
15V
E
on2,
150A
E
off,
150A
E
on2,
75A
E
off,
75A
E
on2,
37.5A
E
off,
37.5A
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
E
on2,
150A
E
off,
150A
E
off,
75A
E
on2,
75A
E
on2,
37.5A
E
off,
37.5A
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PDF描述
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APT75GT120JU3 功能描述:POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT75M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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