參數(shù)資料
型號(hào)： APT75GN60LDQ3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： IGBT
中文描述： IGBT的
文件頁(yè)數(shù)： 9/9頁(yè)
文件大?。?/td> 443K
代理商： APT75GN60LDQ3
0
APT75GN60LDQ3(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
4
3
1
2
5
5
Zero
1
2
3
4
di
F
/dt - Rate of Diode Current Change Through Zero Crossing.
I
F
- Forward Conduction Current
I
RRM
- Maximum Reverse Recovery Current.
trr - Reverse
R
ecovery Time, measured from zero crossing where
diode
current goes from positive to negative, to the point at which the straight
line through I
RRM
and 0.25 I
RRM
passes through zero.
Qrr - Area Under the Curve Defined by I
RRM
and trr.
Figure 32. Diode Test Circuit
Figure 33, Diode Reverse Recovery Waveform and Definitions
0.25 IRRM
PEARSON 2878
CURRENT
TRANSFORMER
di
F
/dt Adjust
30
μ
H
D.U.T.
+18V
0V
trr/Qrr
Waveform
Vr
APT60GT60BR
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
TO-264(L) Package Outline
Dimensions in Millimeters and (Inches)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Collector
(Cathode)
Emitter
(Anode)
Gate
C
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GN60LDQ3G IGBT
APT75GP120B2 POWER MOS 7 IGBT
APT75GP120JDQ3 POWER MOS 7 IGBT
APT75GP120J POWER MOS 7 IGBT
APT75GT120JRDQ3 Thunderbolt IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT75GN60LDQ3G 功能描述:IGBT 600V 155A 536W TO264 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT75GP120B2 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT75GP120B2G 功能描述:IGBT 1200V 100A 1042W TMAX RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT75GP120J 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi APT75GP120J IGBTs 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Microsemi 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227
APT75GP120JDQ3 功能描述:IGBT 1200V 128A 543W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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