參數(shù)資料
型號： APT75GN60BDQ2G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 211K
代理商： APT75GN60BDQ2G
050-7634
Re
v
A
11-2010
APT75GN60B_SDQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C
= 111°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J
= 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F
(AV)
I
F
(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F
= 50A
Forward Voltage
I
F
= 100A
I
F
= 50A, T
J
= 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
2.2
2.7
1.8
APT75GN60BD_SDQ2(G)
40
63
320
DYNAMIC CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C
= 25°C unless otherwise specied.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
22
-
25
-
35
-
3
-
160
-
480
-
6
-
85
-
920
-
20
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F
= 40A, di
F
/dt = -200A/s
V
R
= 400V, T
C
= 25°C
I
F
= 40A, di
F
/dt = -200A/s
V
R
= 400V, T
C
= 125°C
I
F
= 40A, di
F
/dt = -1000A/s
V
R
= 400V, T
C
= 125°C
I
F
= 1A, di
F
/dt = -100A/s, V
R
= 30V, T
J
= 25°C
Z
θ
JC
,
THERMAL
IMPED
ANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 24. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.05
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t
2
t2
t1
P
DM
Note:
D = 0.9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GN60SDQ2G 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GN60BDQ2 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT75GP120B2G 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GP120B2 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT75GP120B2 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT75GN60BG 功能描述:IGBT 600V 155A 536W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT75GN60LDQ3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
APT75GN60LDQ3G 功能描述:IGBT 600V 155A 536W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT75GP120B2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT75GP120B2G 功能描述:IGBT 1200V 100A 1042W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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