參數(shù)資料
型號(hào)： APT75GN120JDQ3
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 124 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 448K
代理商： APT75GN120JDQ3
050-7618
Rev
C
10-2005
APT75GN120JDQ3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
6,000
1,000
500
100
250
200
150
100
50
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600 800 1000 1200 1400
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110120
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 800V
RG = 1.0
40
10
5
1
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
C
res
C
ies
C
oes
0.0820
0.214
0.0335
0.00977
0.227
6.33
Power
(watts)
Junction
temp. (°C)
RC MODEL
Case temperature. (°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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APT75GN120JR 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:
APT75GN120L 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
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APT75GN60B 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
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