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參數資料
| 型號： | APT75DQ60SG |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
| 中文描述： | 超快軟恢復整流二極管 |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | APT75DQ60SG |
APT75DQ60B(G)_S(G)
0
APT60GT60BR
4
3
1
2
5
5
Zero
1
2
3
4
di
F
/dt - Rate of Diode Current Change Through Zero Crossing.
I
F
- Forward Conduction Current
I
RRM
- Maximum Reverse Recovery Current.
trr - Reverse
R
ecovery Time, measured from zero crossing where
diode
current goes from positive to negative, to the point at which the straight
line through I
RRM
and 0.25 I
RRM
passes through zero.
Qrr - Area Under the Curve Defined by I
RRM
and trr.
Figure 9. Diode Test Circuit
Figure 10, Diode Reverse Recovery Waveform and Definitions
0.25 IRRM
PEARSON 2878
CURRENT
TRANSFORMER
di
F
/dt Adjust
30
μ
H
D.U.T.
+18V
0V
trr/Qrr
Waveform
Slope = di
M
/dt
6
di
M
/dt - Maximum Rate of Current Increase During the Trailing Portion of trr.
6
Vr
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
TO
-
247 Package Outline
D
3
PAK Package Outline
15.85 (.624)
18.70 (.736)
1.15 (.045)
5.45 (.215) BSC
4.90 (.193)
1.45 (.057)
2.70 (.106)
0.40 (.016)
0.020 (.001)
Dimensions in Millimeters (Inches)
Heat Sink (Cathode)
2.40 (.094)
C
(
1.90 (.075)
Cathode
Anode
1.20 (.047)
12.40 (.488)
13.30 (.524)
1.00 (.039)
15.49 (.610)
5.38 (.212)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.80 (.819)
1.65 (.065)
1.01 (.040)
10.90 (.430) BSC
3.50 (.138)
4.69 (.185)
1.49 (.059)
2.21 (.087)
0.40 (.016)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
C
Anode
Cathode
e3
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
100% Sn
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT75GN120B2 | IGBT |
| APT75GN120B2G | IGBT |
| APT75GN120L | IGBT |
| APT75GN120LG | IGBT |
| APT75GN120JDQ3 | IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT75F50B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT75F50L | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT75GL60BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247 |
| APT75GN120B2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT75GN120B2G | 功能描述:IGBT 1200V 200A 833W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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