參數(shù)資料
型號： APT65GP60JDQ2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大小： 459K
代理商： APT65GP60JDQ2
050-7453
Rev
A
6-2005
APT65GP60JDQ2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C = 99°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J = 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F(AV)
I
F(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F = 65A
Forward Voltage
I
F = 130A
I
F = 65A, TJ = 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
2.3
2.9
1.4
APT65GP60JDQ2
30
42
320
DYNAMIC CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
21
-
105
-
115
-
3
-
125
-
465
-
7
-
60
-
830
-
23
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F = 30A, diF/dt = -200A/s
V
R = 400V, TC = 25°C
I
F = 30A, diF/dt = -200A/s
V
R = 400V, TC = 125°C
I
F = 30A, diF/dt = -1000A/s
V
R = 400V, TC = 125°C
I
F = 1A, diF/dt = -100A/s, VR = 30V, TJ = 25°C
FIGURE 25b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 25a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.9
0.05
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
0.320 °C/W
0.515 °C/W
0.375 °C/W
0.00278 J/°C
0.0421 J/°C
0.242 J/°C
Power
(watts)
Junction
temp(°C)
RC MODEL
Case temperature(°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT65GP60JDQ2 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT6GT60KR 13 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220
APT7590BN-BUTT 12 A, 750 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
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APT7575BN-BUTT 13 A, 750 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
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參數(shù)描述
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APT66F60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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