參數(shù)資料
型號： APT60GT60BR
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 168K
代理商： APT60GT60BR
052-6223
Rev
C
11-2005
APT60GT60BR_SR
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
VCC = 0.66 VCES
Ets = Eon + Eoff
VCE(on)
td(off)
td(on)
tf
tr
1
Figure 15, Switching Loss Test Circuit and Waveforms
Figure 16, Resistive Switching Time Test Circuit and Waveforms
2
VCC
RG
RL =
.5 VCES
I C2
10%
90%
VGE(on)
VCE(off)
VGE(off)
2
1
From
Gate Drive
Circuitry
D.U.T.
B
IC
90%
10%
90%
10%
90%
Eoff
tf
td(off)
td(on)
tr
Eon
IC
VCLAMP
100uH
VCHARGE
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VC
A
RG
VC
D.U.T.
VCE(SAT)
t=2us
TO-247 Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Collector
Emitter
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
15.95 (.628)
16.05(.632)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
5.45 (.215) BSC
{2 Plcs.}
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
0.46 (.018) {3 Plcs}
0.56 (.022)
Dimensions in Millimeters (Inches)
Heat Sink (Collector)
and Leads are Plated
3.81 (.150)
4.06 (.160)
(Base of Lead)
Collector (Heat
Sink)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
Gate
Collector
Emitter
0.020 (.001)
0.178 (.007)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
11.51 (.453)
11.61 (.457)
13.41 (.528)
13.51(.532)
Revised
8/29/97
1.04 (.041)
1.15(.045)
13.79 (.543)
13.99(.551)
Revised
4/18/95
D
3PAKPackageOutline
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APT60M75JLL 58 A, 600 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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APT60M75JVFR 62 A, 600 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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