參數資料
型號： APT6040BN
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 18 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
文件頁數： 4/4頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： APT6040BN
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C,
CAPACITANCE
(pF)
TO-247AD Package Outline
050-6007
Rev
B
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
3.55 (.140)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2-Plcs.
APT6040/6045BN
T =+25
°C
T =+150
°C
SINGLE PULSE
C
J
T
J
= +25
°C
T
J
= +150
°C
0
.5
1.0
1.5
2.0
0
10
20
30
40
50
C
oss
C
iss
0
40
80
120
1 6 0
200
0
4
8
12
16
20
V
DS
=120V
V
DS
=320V
V
DS
=480V
1
5
10
50 100
600
.1
1
10
100
S
C
rss
APT6045BN
APT6040BN
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
APT6040BN
10
S
1mS
10mS
100mS
DC
I
D
= I
D
[Cont.]
相關PDF資料
PDF描述
APT6045BN 17 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT6040BN 18 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT6040SVR 15 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT6040BVR 15 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT6040SVRG 15 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
APT6040BNG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30
APT6040BNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AD
APT6040BVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET
APT6040BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT6040BVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V
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