參數(shù)資料
型號： APT6040
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
中文描述： N溝道增強型高壓功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： APT6040
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
V
G
,
I
D
,
I
D
,
C
TO-247AD Package Outline
0
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
Gate
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
3.55 (.140)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Dimensions in Millimeters and (Inches)
D
APT6040/6045BN
C
°
C
J
°
C
SINGLE PULSE
TJ = +25
°
C
TJ = +150
°
C
0
.5 1.0 1.5
2.0
0
10
20
30
40
50
Coss
Ciss
0
40
80
120
160
200
0
4
8
12
16
20
VDS=120V
VDS=320V
VDS=480V
1
5
10
50 100
600
.1
1
10
100
100
μ
S
Crss
APT6045BN
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
APT6040BN
APT6045BN
APT6040BN
10
μ
S
1mS
10mS
100mS
DC
I
D
= I
D
[Cont.]
相關PDF資料
PDF描述
APT6040BN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT6045CVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6045BN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT6045BVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6045SVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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APT6040BNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AD
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