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參數(shù)資料
| 型號： | APT50GT60BRDL |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | APT50GT60BRDL |
052-6359
Re
v
A
7-2008
APT50GT60BRDL(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θ
JC
,
THERMAL
IMPED
ANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
4,000
1,000
500
100
160
140
120
100
80
60
40
20
0
C
,CAP
A
CIT
ANCE
(
P
F)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
10 20
30
40
50
60
70
80
90 100
F
MAX
,OPERA
TING
FREQ
UENCY
(kHz)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
120
50
10
2
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, f max2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - P cond
E
on2 + E off
f
max2 =
P
diss =
T
J - T C
R θJC
C
oes
C
res
C
ies
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t
2
t2
t1
P
DM
Note:
0.114
0.113
0.0057
0.0276
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (
°C)
Case temperature. (
°C)
T
J
= 125
°C
T
C
= 75
°C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 5
Ω
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GT60BR | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GT60BRG | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT50GT60SRG | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GT60SR | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50M50JFLC | 77 A, 500 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT50GT60BRDLG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube |
| APT50GT60BRDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT |
| APT50GT60BRDQ1G | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT |
| APT50GT60BRDQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT |
| APT50GT60BRDQ2G | 功能描述:IGBT 600V 110A 446W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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