參數資料
型號： APT50GP60B2DQ2
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數： 5/9頁
文件大?。?/td> 435K
代理商： APT50GP60B2DQ2
0
APT50GP60B2DQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10,000
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
Z
θ
J
,
0.3
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
1,000
500
100
50
10
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
C
P
F
I
C
,
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
10 20 30 40 50
I
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
60 70 80 90 100
F
M
,
T
J
= 125
°
C
T
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 667V
R
G
= 5
220
100
50
10
C
ies
C
oes
C
res
0.5
0.1
0.05
F
max
=
min (f
max
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
d(on)
+ t
r
+ t
d(off)
+ t
f
P
diss
- P
cond
E
on2
+ E
off
T
J
- T
C
R
θ
JC
f
max2
=
P
diss
=
Peak T
J
= P
DM
x Z
θ
JC + TC
Duty Factor D =
t1
/
t2
t2
t1
P
D
Note:
0.00908
0.0193
0.0658
0.00463
0.00218
0.0142
Power
(watts)
Junction
°
C)
RC MODEL
0.0658
0.0142
Case temperature. (
°
C)
D = 0.9
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PDF描述
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